特点：
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输入10MHz输出频率1 0MHz
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频率稳定度优于2E-13/S
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≤-115@1Hz@10MHz
规格参数
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产品特性 |
规格名称 |
指标参数 |
备注 |
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射频输入 |
频率 |
10MHz |
内置高稳晶振调谐范围±1E-7，输入10MHz准确度必须小于此范围 |
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输入功率 |
5~15dBm |
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输入杂散抑制 |
≥70dBc |
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输出谐波抑制 |
≥30dBc |
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准确度 |
≤±3E-7 |
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稳定度 |
≤±1E-7 |
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射频输出 |
输出路数 |
1路 |
锁定后准确度同外参考，稳定度由内部晶振和外部参考共同决定，未锁定时稳定度和准确度为±1E-8 |
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频率 |
10 MHz |
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输出功率 |
≥7dBm |
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杂散抑制 |
≥80dBc |
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谐波抑制 |
≥30dBc |
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相位噪声 |
1Hz |
≤-115dBc/Hz |
环路带宽0.001Hz~0.1Hz可调 |
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10Hz |
≤-130dBc/Hz |
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100Hz |
≤-148dBc/Hz |
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1kHz |
≤-160dBc/Hz |
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10kHz |
≤-160dBc/Hz |
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锁相环稳定度 |
1S |
≤2E-13 |
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电源电压 |
供电电压 |
+12V |
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功耗 |
≤500mA |
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环境温度 |
工作温度 |
0℃→+50℃ |
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储存温度 |
-55℃→+85℃ |
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结构 |
尺寸 |
160mm x 130mm x 25mm |
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低频接口 |
DB9 |
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射频接口 |
SMA-K |
外形尺寸